Corrosione di metallo  [ Torna indietro  Produzione di semiconduttori  ]

Questo processo permette di eliminare degli strati d'alluminio dal wafer e di fabbricare in questo modo delle piste. Per questo si pone il wafer dentro la camera di corrosione e si mette sopra un potenziale elettrico negativo. La camera è riscaldata a ca. 100 °C, evacuata e poi inondata da un plasma di gas (di solito una miscela d'azoto, cloro e cloruro di boro). Le cariche opposte portano ad un orientamento verticale delle molecole di plasma e con questo ad una procedura "getto di sabbia" microscopica, chimica e fisica che elimina lo strato d'alluminio.

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