Chemical Vapour Deposition  [ Torna indietro  Produzione di semiconduttori  ]

Chemical Vapour Deposition (CVD - separazione chimica in fase di vaporizzazione) segna un gran gruppo di processi che permette di separare gli strati sul wafer. Prima della separazione il wafer viene pulito tramite un processo di corrosione a secco ("Dry Etch Process") che adopera o dell'esafluoruro di zolfo o una miscela di tetrafluorometano.

I gas di trasporto adoperati durante i processi CVD sono l'azoto e l'idrogeno. Dipendente dallo strato che dev'essere prodotto si usano anche altri gas. L'ammoniaca e il diclorosilano producono p.es. uno strato di nitruro di silicio. Per degli strati d'anidride silicica si usa il silano e l'ossigeno. Per la produzione di certi strati di siliciuro (ibridi di metalli e silicio) si usa dell'esafluoruro di wolfram. Per pulire la camera di reazione CVD si usa anche il trifluoruro di azoto.

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