Ashing  [ Torna indietro  Produzione di semiconduttori  ]

Se è stato prodotto uno strato di silicio, metallo o siliciuro, il photoresist rimanente dev'essere eliminato con un cosiddetto "Ashing process". Questa procedura consiste nella produzione di un plasma gassoso ad alta temperatura nel quale il photoresist viene eliminato senza danneggiare lo strato sottostante.

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