Oxidation  [ Retour vers  Production de semi-conducteurs  ]

L’oxydation fait se déposer de minces couches de silice dans le substrat de silicium par échauffement de la plaquette de silicium à environ 1000°C dans une atmosphère d’oxygène ultra pur et d’hydrogène. De cette manière, on obtient, sur la plaquette de silicium, des couches d’isolation ou des couches d'oxydes constituant une grille.