Implantation  [ Retour vers  Production de semi-conducteurs  ]

Lors de l’implantation, les ions d'un dopeur déterminé sont bombardés à l'aide de tubes accélérateurs sur la surface de la plaquette de silicium, à l'occasion de quoi l’on peut modifier avec précision les propriétés électriques de zones définies de la couche. Les gaz entrant en ligne de compte comme fournisseurs d’ions de dopage sont des gaz comme l’hydrogène arséné, le trihydrure de phosphore, le diborane, le trichlorure de bore et le trifluorure de bore.