Chemical Vapour Deposition  [ Retour vers  Production de semi-conducteurs  ]

Par Chemical Vapour Deposition (CVD, séparation chimique en phase vapeur), on entend un groupe important de processus permettant de séparer les couches sur la plaquette de silicium. Avant la séparation, la plaquette de silicium est nettoyée dans le cadre d’un processus de gravure sèche (« Dry Etch Process ») qui fait appel soit à de l’hexafluorure de soufre soit à un mélange de tétrafluorométhane et d’oxygène ultra pur.

Les gaz vecteurs utilisés dans les processus de CVD sont l’azote et l’hydrogène. En fonction de la couche devant être produite, on utilise en outre d’autres gaz. L’ammoniac et le dichlorsilane produisent par exemple une couche de nitrure de silicium. Pour les couches d’oxydes de silicium, on utilise le silane et l’oxygène. Pour fabriquer des couches déterminées de silicide (hybrides de métaux et de silicium), on a besoin d'hexafluorure de wolfram. Pour nettoyer les chambres de réaction de CVD, on utilise en outre du trifluorure d’azote.