Oxidation  [ zurück  Halbleiterproduktion  ]

Die Oxidation bildet dünne Schichten von Siliziumdioxid im Siliziumsubstrat durch Erwärmen des Wafers auf ca. 1.000 °C in einer Atmosphäre aus hochreinem Sauerstoff und Wasserstoff. Auf diese Weise entstehen auf dem Wafer Isolationsschichten oder Gateoxidschichten.

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