Chemical Vapour Deposition  [ zurück  Halbleiterproduktion  ]

Chemical Vapour Deposition (CVD - Chemische Gasphasenabscheidung) bezeichnet eine grosse Gruppe von Prozessen zur Schichtenabscheidung auf dem Wafer. Vor der Abscheidung wird der Wafer in einem Trockenätzverfahren ("Dry Etch Process") gereinigt, der entweder Schwefelhexafluorid oder eine Mischung aus Tetrafluormethan und hochreinem Sauerstoff einsetzt.

Die in CVD Prozessen eingesetzte Trägergase sind Stickstoff und Wasserstoff. In Abhängigkeit von der zu produzierenden Schicht kommen ausserdem andere Gase zur Anwendung. Ammoniak und Dichlorsilan erzeugen zum Beispiel eine Siliziumnitrid-Schicht. Für Siliziumdioxidschichten benutzt man Silan und Sauerstoff. Zur Herstellung von bestimmten Silizidschichten (Hybride von Metallen und Silizium) wird Wolframhexafluorid benötigt. Zum Reinigen der CVD-Reaktionskammern kommt außerdem Stickstofftrifluorid zum Einsatz.

Marktbereiche

Kontaktieren Sie uns

Für weitere Informationen erreichen Sie uns per

  • Telefon
    +41 (0) 31 950 50 50 
  • Fax
    +41 (0) 31 950 50 51
  • Post
    Carbagas AG
    Hofgut
    3073 Gümligen


Anfrageformular:
hier klicken