Der mit Photoresist beschichtete Wafer wird in einem Stepper ultravioletter Strahlung ausgesetzt. Das UV-Licht trifft durch eine Maske, die die spätere Struktur des elektronischen Bauteils widerspiegelt, auf die Oberfläche, so dass nur ausgewählte Bereiche des Photoresist belichtet werden. Als Lichtquelle werden Laser eingesetzt, in denen neben anderen Medien auch hochreiner Stickstoff, Reinstdruckluft und verschiedene Lasergasmischungen wie Fluor-Krypton-Neon und Krypton-Neon eingesetzt werden.

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