Thermodiffusion  [ zurück  Halbleiterproduktion  ]

Nach der Belichtung werden die Wafer in einer sauren oder basischen Lösung entwickelt, um den Photoresist von den belichteten Zonen zu entfernen. Anschliessend wird der Wafer bei niedrigen Temperaturen "ausgeheizt", damit das verbleibende Resistmaterial aushärten kann. Ausserdem werden die Wafer in Hochtemperatur-Diffusionsöfen bei 800 °F - 1200 °F (430 °C - 650 °C) behandelt, um vorher aufgebrachte Dotierungsschichten in das Wafermaterial zu verteilen.