Metallätzen  [ zurück  Halbleiterproduktion  ]

Dieser Prozessschritt dient dazu, Teile der Aluminiumschichten vom Wafer zu entfernen und auf diese Weise Leiterbahnen herzustellen. Hierzu wird der Wafer in der Ätzkammer positioniert und auf ein negatives elektrisches Potenzial gelegt. Die Kammer wird auf ca. 100 °C geheizt, evakuiert und dann mit einem positiv geladenen Gasplasma (üblicherweise ein Gemisch aus Stickstoff, Chlor und Bortrichlorid geflutet. Die entgegengesetzten Ladungen führen zu einer vertikalen Ausrichtung der Plasmamoleküle und damit zu einem mikroskopischen, chemischen und physikalischen "Standstrahl"-Verfahren, das die Aluminiumschicht entfernt.