Wenn eine Silizium-, Metall- oder Silizidschicht hergestellt worden ist, muß der verbleibende Photoresist in einem sog. "Ashing-Prozess" entfernt werden. Dabei wird ein Hochtemperatur-Gasplasma erzeugt, in dem der Resist entfernt wird, ohne die darunter liegende Schicht zu zerstören.
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